规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 650V 电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时) 68.5A(Tc) 驱动电压(较大 Rds On,较小 Rds On) 10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值) 41 毫欧 @ 33.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值) 4.5V @ 3.3mA 不同 Vgs 时的栅较电荷 (Qg)(较大值) 300nC @ 10V Vgs(较大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值) 8400pF @ 100V FET 功能 - 功率耗散(较大值) 500W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3