IPW65R041CFD N 沟道 MOS管 650V 68.5A 封装TO-247-3

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	68.5A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	41 毫欧 @ 33.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	4.5V @ 3.3mA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	300nC @ 10V
Vgs（较大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	8400pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	500W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3