SPB17N80C3 表面贴装 N 沟道 MOS单管800V 17A封装TO-263-3

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	17A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	290 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	177nC @ 10V
Vgs（较大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	2300pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	227W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
Cool MOS? Power Transistor VDS 800 V
RDS(on) 0.29 ?
ID 17 A
Feature
 New revolutionary high voltage technology
 Worldwide best RDS(on) in TO 220
 Ultra low gate charge
 Periodic avalanche rated
 Extreme dv/dt rated
 Ultra low effective capacitances
 Improved transconductance
 P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)